台积电2nm工艺继续涨价：芯片价格将会飙升

摘要： 12月9日消息，据媒体报道，台积电在新竹宝山工厂开始2nm试产，其良率达到了60%，超越台积电内部预期，除了宝山工厂外，...

12月9日消息，据媒体报道，台积电在新竹宝山工厂开始2nm试产，其良率达到了60%，超越台积电内部预期，除了宝山工厂外，明年上半年台积电还计划在高雄工厂开展2nm试产工作。

据了解，代工厂批量生产芯片，需要70%甚至更高的良率，按照台积电的进度，在2nm大规模量产之前，台积电有时间能将良率提升到量产标准。

伴随着2nm时代的到来，其价格也跟着水涨船高，消息称台积电2nm晶圆的价格超过了3万美元，目前3nm晶圆的价格大概在1.85万至2万美元，对比可见2nm工艺的价格将会大幅提升。

值得注意的是，台积电的订单报价包含多种因素，和具体的客户以及订单量有关，部分客户可能会有些优惠，3万美元是一个较为粗略的数字。

公开报道显示，自2004年台积电发布90nm芯片以来，彼时晶圆报价近2000美元，制程技术到2016年演进至10nm后，报价增幅显著，至6000美元。进入7nm、5nm制程世代后，报价破万，5nm更是高达16000美元，且该统计价格尚未计入台积电2023年6%的涨幅。

在今年10月份，高通、联发科旗舰芯片全部转向3nm工艺制程，相关终端掀起了一轮涨价潮，半导体业内人士预计，由于先进制程报价居高不下，芯片厂商成本高企，势必将成本压力转嫁给下游客户或终端消费者。

值得注意的是，台积电在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs晶体管，另外N2工艺还能搭配NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了灵活的标准元件。

与现有的N3E工艺相比，预计N2工艺相同功率下性能会有10%到15%的提升，或者在相同频率下功耗会下降25%到30%，同时晶体管密度将提升15%。